casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SDE6603-8R2M
codice articolo del costruttore | SDE6603-8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-SDE6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE6603 |
SDE6603-8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDE6603-8R2M-FT |
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
Vishay Dale
IDCS2512ER470M
Vishay Dale
IDCS2512ER471M
Vishay Dale
IDCS2512ER472M
Vishay Dale
IDCS2512ER4R7M
Vishay Dale
IDCS2512ER680M
Vishay Dale
IDCS2512ER681M
Vishay Dale
IDCS2512ER682M
Vishay Dale
IDCS2512ER6R8M
Vishay Dale
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel