casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SDE6603-8R2M
codice articolo del costruttore | SDE6603-8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-SDE6603-8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE6603 |
SDE6603-8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDE6603-8R2M-FT |
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
Vishay Dale
IDCS2512ER470M
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IDCS2512ER471M
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IDCS2512ER472M
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IDCS2512ER4R7M
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IDCS2512ER680M
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IDCS2512ER681M
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IDCS2512ER682M
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IDCS2512ER6R8M
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel