casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SDE6603-2R7M
codice articolo del costruttore | SDE6603-2R7M |
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Numero di parte futuro | FT-SDE6603-2R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE6603 |
SDE6603-2R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-2R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDE6603-2R7M-FT |
IDCS2512ER331M
Vishay Dale
IDCS2512ER332M
Vishay Dale
IDCS2512ER3R3M
Vishay Dale
IDCS2512ER470M
Vishay Dale
IDCS2512ER471M
Vishay Dale
IDCS2512ER472M
Vishay Dale
IDCS2512ER4R7M
Vishay Dale
IDCS2512ER680M
Vishay Dale
IDCS2512ER681M
Vishay Dale
IDCS2512ER682M
Vishay Dale
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel