casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SDE6603-221M
codice articolo del costruttore | SDE6603-221M |
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Numero di parte futuro | FT-SDE6603-221M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE6603 |
SDE6603-221M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 220µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | 220mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.11 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 5.5MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-221M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDE6603-221M-FT |
SDR0906-120ML
Bourns Inc.
SDR0906-331KL
Bourns Inc.
SDR0906-471KL
Bourns Inc.
SDR0906-100ML
Bourns Inc.
SDR0906-103KL
Bourns Inc.
SDR0906-101KL
Bourns Inc.
SDR0906-102KL
Bourns Inc.
SDR0906-121KL
Bourns Inc.
SDR0906-122KL
Bourns Inc.
SDR0906-150ML
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel