casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SDE1006A-8R2M
codice articolo del costruttore | SDE1006A-8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-SDE1006A-8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE1006A |
SDE1006A-8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.1A |
Corrente - Saturazione | 4.3A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 48 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 27.9MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.228" (5.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDE1006A-8R2M-FT |
SRN2009T-3R3M
Bourns Inc.
SRN2009T-4R7M
Bourns Inc.
SRN2009T-6R8M
Bourns Inc.
SRN2009T-R33M
Bourns Inc.
SRN2009T-R47M
Bourns Inc.
SRN2009T-R68M
Bourns Inc.
SRN1060-100M
Bourns Inc.
SRN1060-471M
Bourns Inc.
SRN1060-330M
Bourns Inc.
SRN1060-101M
Bourns Inc.
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel