casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / SDE1006A-3R9M
codice articolo del costruttore | SDE1006A-3R9M |
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Numero di parte futuro | FT-SDE1006A-3R9M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDE1006A |
SDE1006A-3R9M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.2A |
Corrente - Saturazione | 5.7A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 27 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 40.6MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.228" (5.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-3R9M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDE1006A-3R9M-FT |
SRN2010TA-1R5Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-3R3M
Bourns Inc.
SRN2010TA-6R8M
Bourns Inc.
SRN2010TA-R47Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-R68Y
Bourns Inc.
SRN2009T-2R2M
Bourns Inc.
SRN2009T-100M
Bourns Inc.
SRN2009T-1R0M
Bourns Inc.
SRN2009T-1R5M
Bourns Inc.
SRN2009T-3R3M
Bourns Inc.
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I2N
Intel
EP4SGX230KF40I4
Intel
5SGSMD3E2H29C3N
Intel
EP4SGX290NF45I4
Intel
XC7A75T-1CSG324C
Xilinx Inc.
5CEFA2M13C8N
Intel