casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SDB20S30
codice articolo del costruttore | SDB20S30 |
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Numero di parte futuro | FT-SDB20S30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
SDB20S30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDB20S30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDB20S30-FT |
BAS21AVD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAV70UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAV99UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6433HTMA1
Infineon Technologies
FC903-TR-E
ON Semiconductor
IMN11T110
Rohm Semiconductor
IMP11T110
Rohm Semiconductor
MAS3132EGL
Panasonic Electronic Components
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel