casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SD103CWS-TP
codice articolo del costruttore | SD103CWS-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SD103CWS-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SD103CWS-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 350mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103CWS-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SD103CWS-TP-FT |
GF1JHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1M-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1MHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1MHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1D-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1J-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel