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STMicroelectronics SCT10N120

Name: SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT10N120
Price: 9.904 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (489 reviews)

Numero parte MFG: SCT10N120

quantità disponibile: 96560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 9.904

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SCT10N120.pdf

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SCT10N120 specificazioni

codice articolo del costruttore	SCT10N120
Numero di parte futuro	FT-SCT10N120
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCT10N120 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 20V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	HiP247™
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT10N120 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SCT10N120-FT

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