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codice articolo del costruttore | SC1812-3R3 |
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Numero di parte futuro | FT-SC1812-3R3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SC1812 |
SC1812-3R3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.42A |
Corrente - Saturazione | 800mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 169 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.189" L x 0.134" W (4.80mm x 3.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.110" (2.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SC1812-3R3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SC1812-3R3-FT |
SC32-820
Signal Transformer
SC32-8R2
Signal Transformer
SC312MF-100
Signal Transformer
SC312MF-120
Signal Transformer
SC312MF-150
Signal Transformer
SC312MF-180
Signal Transformer
SC312MF-1R0
Signal Transformer
SC312MF-1R5
Signal Transformer
SC312MF-220
Signal Transformer
SC312MF-270
Signal Transformer
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel