casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR30120CT
codice articolo del costruttore | SBR30120CT |
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Numero di parte futuro | FT-SBR30120CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR30120CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 15A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR30120CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR30120CT-FT |
SBR20A150CT
Diodes Incorporated
SBR20A100CT
Diodes Incorporated
SBR30A40CT
Diodes Incorporated
SBR30A60CT
Diodes Incorporated
SBR40U200CT
Diodes Incorporated
SBR60A60CT
Diodes Incorporated
MBR2060CT-G1
Diodes Incorporated
SBR20E100CT
Diodes Incorporated
SDT40100CT
Diodes Incorporated
SBR60A150CT
Diodes Incorporated
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel