casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBR12U100P5Q-13
codice articolo del costruttore | SBR12U100P5Q-13 |
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Numero di parte futuro | FT-SBR12U100P5Q-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SBR® |
SBR12U100P5Q-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerDI™ 5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR12U100P5Q-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR12U100P5Q-13-FT |
B0540W-7-F
Diodes Incorporated
B140HWQ-7
Diodes Incorporated
BAT42W-7-F
Diodes Incorporated
BAT46W-7-F
Diodes Incorporated
SD101AW-7-F
Diodes Incorporated
B130LAW-7-F
Diodes Incorporated
B0530W-7-F
Diodes Incorporated
BAT43W-7-F
Diodes Incorporated
SBR0560S1-7
Diodes Incorporated
SD103BW-7-F
Diodes Incorporated
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel