casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR10U200CTB
codice articolo del costruttore | SBR10U200CTB |
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Numero di parte futuro | FT-SBR10U200CTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR10U200CTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR10U200CTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR10U200CTB-FT |
SBR660CTL-13
Diodes Incorporated
SBR10100CTL-13
Diodes Incorporated
SBR10120CTL-13
Diodes Incorporated
SBR10150CTL-13
Diodes Incorporated
SBR1045CTL-13
Diodes Incorporated
SBR1045CTLQ-13
Diodes Incorporated
SBR660CTLQ-13
Diodes Incorporated
SBRT10A100CTL-13
Diodes Incorporated
SBR6100CTL-13
Diodes Incorporated
SBR6200CTL-13
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel