casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBR10B45P5-13D
codice articolo del costruttore | SBR10B45P5-13D |
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Numero di parte futuro | FT-SBR10B45P5-13D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR10B45P5-13D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 380µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerDI™ 5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR10B45P5-13D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR10B45P5-13D-FT |
SD101BW-7-F
Diodes Incorporated
1N4148W-7-F
Diodes Incorporated
B0520LW-7-F
Diodes Incorporated
MBR0580S1-7
Diodes Incorporated
1N5819HW-7-F
Diodes Incorporated
B140HW-7
Diodes Incorporated
BAV3004W-7-F
Diodes Incorporated
BAV21W-7-F
Diodes Incorporated
1N4148WQ-7-F
Diodes Incorporated
BAV16W-7-F
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel