codice articolo del costruttore | SBL835 |
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Numero di parte futuro | FT-SBL835 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBL835 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBL835 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBL835-FT |
B520C-13-F
Diodes Incorporated
B520CQ-13-F
Diodes Incorporated
B530CQ-13-F
Diodes Incorporated
B550C-13-F
Diodes Incorporated
B550CQ-13-F
Diodes Incorporated
B560CQ-13-F
Diodes Incorporated
S8MC-13
Diodes Incorporated
SK36-7-F
Diodes Incorporated
ES3C-13-F
Diodes Incorporated
RS3A-13-F
Diodes Incorporated
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel