casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBAS21LT1G
codice articolo del costruttore | SBAS21LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SBAS21LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBAS21LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBAS21LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBAS21LT1G-FT |
DA2JF2300L
Panasonic Electronic Components
DB2J20600L
Panasonic Electronic Components
DB2J31300L
Panasonic Electronic Components
DA2J10100L
Panasonic Electronic Components
DB2J40700L
Panasonic Electronic Components
DA2J10400L
Panasonic Electronic Components
DB2J31700L
Panasonic Electronic Components
DB2J41100L
Panasonic Electronic Components
DB3J407K0L
Panasonic Electronic Components
DB2J31000L
Panasonic Electronic Components
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel