casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBAS21DW5T3G
codice articolo del costruttore | SBAS21DW5T3G |
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Numero di parte futuro | FT-SBAS21DW5T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBAS21DW5T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBAS21DW5T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBAS21DW5T3G-FT |
MSRD620CT
ON Semiconductor
MURD610CTT4
ON Semiconductor
MURD620CT1
ON Semiconductor
NTSB30U100CTG
ON Semiconductor
NTSB30100CTG
ON Semiconductor
NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor
MURB1620CTG
ON Semiconductor
MBRB1545CTG
ON Semiconductor
MBRB2060CTG
ON Semiconductor
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel