casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB5H90-E3/73
codice articolo del costruttore | SB5H90-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-SB5H90-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB5H90-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB5H90-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB5H90-E3/73-FT |
VS-8TQ080-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel