casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB530-T
codice articolo del costruttore | SB530-T |
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Numero di parte futuro | FT-SB530-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB530-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB530-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB530-T-FT |
BAV103-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4148-13
Diodes Incorporated
LL4148-7
Diodes Incorporated
LL4148-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4148-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-7
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel