casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB260-E3/54
codice articolo del costruttore | SB260-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-SB260-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB260-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB260-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB260-E3/54-FT |
RGP10ME-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10ME-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10MHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel