casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SB05-05P-TD-E
codice articolo del costruttore | SB05-05P-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-SB05-05P-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB05-05P-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB05-05P-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB05-05P-TD-E-FT |
MA2SD320GL
Panasonic Electronic Components
MA2SE0100L
Panasonic Electronic Components
MA2Z00100L
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MA2Z0010GL
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MA2Z72000L
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MA2Z7200GL
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MA2Z74800L
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MA2Z7480GL
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MA2Z78400L
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XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel