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codice articolo del costruttore | S9S12ZVLS1F0MFM |
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Numero di parte futuro | FT-S9S12ZVLS1F0MFM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S12 MagniV |
S9S12ZVLS1F0MFM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | S12Z |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 32MHz |
Connettività | I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART/USART |
periferiche | LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 19 |
Dimensione della memoria del programma | 16KB (16K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | 128 x 8 |
Dimensione RAM | 1K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 5.5V ~ 18V |
Convertitori di dati | A/D 6x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount, Wettable Flank |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-VFQFN Exposed Pad |
32-QFN-EP (5x5) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S12ZVLS1F0MFM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S9S12ZVLS1F0MFM-FT |
S9S08SG8E2MSC
NXP USA Inc.
MC9RS08KA1CSCR
NXP USA Inc.
MC9RS08KA2CSCR
NXP USA Inc.
MC9RS08KB2CSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QA2CDNE
NXP USA Inc.
MC9S08QD2CSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QD2VSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QD4MSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QG4CDNER
NXP USA Inc.
MC9S08SH4CSC
NXP USA Inc.
XC3S200A-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43I4N
Intel
XC5VLX30T-1FFG665CES
Xilinx Inc.
XA7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84M
Microsemi Corporation
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel
EP1C20F400C6
Intel