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codice articolo del costruttore | S9S12ZVLS1F0MFM |
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Numero di parte futuro | FT-S9S12ZVLS1F0MFM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S12 MagniV |
S9S12ZVLS1F0MFM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | S12Z |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 32MHz |
Connettività | I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART/USART |
periferiche | LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 19 |
Dimensione della memoria del programma | 16KB (16K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | 128 x 8 |
Dimensione RAM | 1K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 5.5V ~ 18V |
Convertitori di dati | A/D 6x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount, Wettable Flank |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-VFQFN Exposed Pad |
32-QFN-EP (5x5) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S12ZVLS1F0MFM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S9S12ZVLS1F0MFM-FT |
S9S08SG8E2MSC
NXP USA Inc.
MC9RS08KA1CSCR
NXP USA Inc.
MC9RS08KA2CSCR
NXP USA Inc.
MC9RS08KB2CSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QA2CDNE
NXP USA Inc.
MC9S08QD2CSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QD2VSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QD4MSCR
NXP USA Inc.
MC9S08QG4CDNER
NXP USA Inc.
MC9S08SH4CSC
NXP USA Inc.
XC5210-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG256I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-VFG256I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
EP2C35F484C7
Intel
XC5VLX85-1FFG1153I
Xilinx Inc.
XC5VSX240T-1FF1738CES
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324I
Xilinx Inc.