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codice articolo del costruttore | S9S08SG8E2MTJR |
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Numero di parte futuro | FT-S9S08SG8E2MTJR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S08 |
S9S08SG8E2MTJR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | S08 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 40MHz |
Connettività | I²C, LINbus, SCI, SPI |
periferiche | LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 16 |
Dimensione della memoria del programma | 8KB (8K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 512 x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 12x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
20-TSSOP | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S08SG8E2MTJR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S9S08SG8E2MTJR-FT |
MC9S12XEP100MVL
NXP USA Inc.
ST10F296MTR
STMicroelectronics
MC9S12XEP100CVL
NXP USA Inc.
S912XEP100J5CVL
NXP USA Inc.
MAC7131MVF40
NXP USA Inc.
MPC5517GAVMG80
NXP USA Inc.
MPXN2120VMG116
NXP USA Inc.
SPC5516EAMMG66
NXP USA Inc.
SPC5517EAMMG66
NXP USA Inc.
SPC5517GAMMG66
NXP USA Inc.