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codice articolo del costruttore | S9S08SG8E2MTJR |
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Numero di parte futuro | FT-S9S08SG8E2MTJR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S08 |
S9S08SG8E2MTJR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | S08 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 40MHz |
Connettività | I²C, LINbus, SCI, SPI |
periferiche | LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 16 |
Dimensione della memoria del programma | 8KB (8K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 512 x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 12x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
20-TSSOP | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S08SG8E2MTJR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S9S08SG8E2MTJR-FT |
MC9S12XEP100MVL
NXP USA Inc.
ST10F296MTR
STMicroelectronics
MC9S12XEP100CVL
NXP USA Inc.
S912XEP100J5CVL
NXP USA Inc.
MAC7131MVF40
NXP USA Inc.
MPC5517GAVMG80
NXP USA Inc.
MPXN2120VMG116
NXP USA Inc.
SPC5516EAMMG66
NXP USA Inc.
SPC5517EAMMG66
NXP USA Inc.
SPC5517GAMMG66
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-1FF1759I
Xilinx Inc.
5CEFA4U19C7N
Intel
EP2SGX130GF40C3N
Intel
EP20K1000EBC652-3
Intel