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codice articolo del costruttore | S9S08SG8E2CTJR |
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Numero di parte futuro | FT-S9S08SG8E2CTJR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S08 |
S9S08SG8E2CTJR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | S08 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 40MHz |
Connettività | I²C, LINbus, SCI, SPI |
periferiche | LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 16 |
Dimensione della memoria del programma | 8KB (8K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 512 x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 12x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
20-TSSOP | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S9S08SG8E2CTJR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S9S08SG8E2CTJR-FT |
MPC5534MVM80
NXP USA Inc.
MC9S12XEP100MVL
NXP USA Inc.
ST10F296MTR
STMicroelectronics
MC9S12XEP100CVL
NXP USA Inc.
S912XEP100J5CVL
NXP USA Inc.
MAC7131MVF40
NXP USA Inc.
MPC5517GAVMG80
NXP USA Inc.
MPXN2120VMG116
NXP USA Inc.
SPC5516EAMMG66
NXP USA Inc.
SPC5517EAMMG66
NXP USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEABN3F45I3LN
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
EP2SGX60EF1152C3
Intel
A42MX24-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation