casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S8CKHM3/I
codice articolo del costruttore | S8CKHM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-S8CKHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S8CKHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 985mV @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S8CKHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S8CKHM3/I-FT |
S1MFL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S20100
Microsemi Corporation
S20120
Microsemi Corporation
S2020
Microsemi Corporation
S2040
Microsemi Corporation
S20410
Microsemi Corporation
S204100
Microsemi Corporation
S204120
Microsemi Corporation
S20420
Microsemi Corporation
S20440
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel