casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S72XS256RE0AHBJH0
codice articolo del costruttore | S72XS256RE0AHBJH0 |
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Numero di parte futuro | FT-S72XS256RE0AHBJH0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | XS-R |
S72XS256RE0AHBJH0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Dimensione della memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBJH0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S72XS256RE0AHBJH0-FT |
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW110
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW110
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW110C
Cypress Semiconductor Corp
S30MS512R25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel