casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S72XS256RE0AHBJH0
codice articolo del costruttore | S72XS256RE0AHBJH0 |
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Numero di parte futuro | FT-S72XS256RE0AHBJH0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | XS-R |
S72XS256RE0AHBJH0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Dimensione della memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBJH0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S72XS256RE0AHBJH0-FT |
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW110
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW110
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW110C
Cypress Semiconductor Corp
S30MS512R25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel