casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S72XS256RE0AHBHH3
codice articolo del costruttore | S72XS256RE0AHBHH3 |
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Numero di parte futuro | FT-S72XS256RE0AHBHH3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | XS-R |
S72XS256RE0AHBHH3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Dimensione della memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBHH3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S72XS256RE0AHBHH3-FT |
S30MS01GP25TFW503
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW110
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS02GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel