casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S72VS256RE0AHBJ10
codice articolo del costruttore | S72VS256RE0AHBJ10 |
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Numero di parte futuro | FT-S72VS256RE0AHBJ10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S72VS256RE0AHBJ10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Dimensione della memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72VS256RE0AHBJ10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S72VS256RE0AHBJ10-FT |
S30MS01GP25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW003
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW010A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW500
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW503
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel