casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S72VS256RE0AHBJ10
codice articolo del costruttore | S72VS256RE0AHBJ10 |
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Numero di parte futuro | FT-S72VS256RE0AHBJ10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S72VS256RE0AHBJ10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH, DRAM |
Dimensione della memoria | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72VS256RE0AHBJ10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S72VS256RE0AHBJ10-FT |
S30MS01GP25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW003
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW010A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW500
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW503
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GP25TFW510A
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW000
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW010
Cypress Semiconductor Corp
S30MS01GR25TFW100
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel