casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S70KS1281DPBHI023
codice articolo del costruttore | S70KS1281DPBHI023 |
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Numero di parte futuro | FT-S70KS1281DPBHI023 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperRAM™ KS |
S70KS1281DPBHI023 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 36ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S70KS1281DPBHI023 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S70KS1281DPBHI023-FT |
S29WS128N0SBAW013
Cypress Semiconductor Corp
S29WS128N0SBFW010
Cypress Semiconductor Corp
S29WS128N0SBFW012
Cypress Semiconductor Corp
S29WS128N0SBFW013
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256N0LBFW012
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256N0SBFW012
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256R0SBHW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256RAABHW000
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256RAABHW000E
Cypress Semiconductor Corp
S29WS256RAABHW200E
Cypress Semiconductor Corp
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel