casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S70FL01GSDSMFB010
codice articolo del costruttore | S70FL01GSDSMFB010 |
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Numero di parte futuro | FT-S70FL01GSDSMFB010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, FL-S |
S70FL01GSDSMFB010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S70FL01GSDSMFB010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S70FL01GSDSMFB010-FT |
M28W640ECB90N6
STMicroelectronics
M29DW323DB90N6
STMicroelectronics
M29F200BB45N1
STMicroelectronics
M29F200BB50N3
STMicroelectronics
M29F400BB70N3T
STMicroelectronics
M29W200BB55N1
STMicroelectronics
M29W200BB90N1
STMicroelectronics
M29W200BB90N6
STMicroelectronics
M29W200BT55N1
STMicroelectronics
M29W800DB90N6T
STMicroelectronics
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel