casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / S6X8ECS2RP
codice articolo del costruttore | S6X8ECS2RP |
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Numero di parte futuro | FT-S6X8ECS2RP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Teccor® |
S6X8ECS2RP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 30µA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.4V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 510mA |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 3mA |
Corrente - Off Stato (max) | 3µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 10A |
SCR Type | Sensitive Gate |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6X8ECS2RP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6X8ECS2RP-FT |
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S04PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S08PFL1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S12PFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C04L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
M2GL005-1VFG400I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K2H40I3N
Intel
5SGXEA7K3F35C3N
Intel
A40MX04-2PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-2FF676C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35I4N
Intel