casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S6HVM2.5
codice articolo del costruttore | S6HVM2.5 |
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Numero di parte futuro | FT-S6HVM2.5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6HVM2.5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.45V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 2500V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6HVM2.5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6HVM2.5-FT |
A180RPD
Powerex Inc.
A180RPE
Powerex Inc.
A187B
Powerex Inc.
A187D
Powerex Inc.
A187M
Powerex Inc.
A187N
Powerex Inc.
A187P
Powerex Inc.
A187PB
Powerex Inc.
A187PD
Powerex Inc.
A187PE
Powerex Inc.
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel