codice articolo del costruttore | S6BR |
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Numero di parte futuro | FT-S6BR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6BR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6BR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6BR-FT |
MURH10040R
GeneSiC Semiconductor
MURH7005
GeneSiC Semiconductor
MURH7005R
GeneSiC Semiconductor
MURH7010
GeneSiC Semiconductor
MURH7010R
GeneSiC Semiconductor
MURH7040
GeneSiC Semiconductor
MURH7040R
GeneSiC Semiconductor
MURH7060
GeneSiC Semiconductor
NGTD13R120F2SWK
ON Semiconductor
NGTD9R120F2SWK
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel