codice articolo del costruttore | S6BR |
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Numero di parte futuro | FT-S6BR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6BR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6BR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6BR-FT |
MURH10040R
GeneSiC Semiconductor
MURH7005
GeneSiC Semiconductor
MURH7005R
GeneSiC Semiconductor
MURH7010
GeneSiC Semiconductor
MURH7010R
GeneSiC Semiconductor
MURH7040
GeneSiC Semiconductor
MURH7040R
GeneSiC Semiconductor
MURH7060
GeneSiC Semiconductor
NGTD13R120F2SWK
ON Semiconductor
NGTD9R120F2SWK
ON Semiconductor
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel