casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / S6006DS3TP
codice articolo del costruttore | S6006DS3TP |
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Numero di parte futuro | FT-S6006DS3TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6006DS3TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltaggio - Off State | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 500µA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.6V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 6A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 8mA |
Corrente - Off Stato (max) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR Type | Sensitive Gate |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006DS3TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6006DS3TP-FT |
MCR100-003
ON Semiconductor
MCR100-004
ON Semiconductor
MCR100-3G
ON Semiconductor
MCR100-4G
ON Semiconductor
MCR100-6G
ON Semiconductor
MCR100-8G
ON Semiconductor
MCR22-008
ON Semiconductor
MCR22-6G
ON Semiconductor
MCR22-8G
ON Semiconductor
N0118GA,412
WeEn Semiconductors
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C6F256C6N
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EP2AGX125DF25I5
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5SGXMA5N2F45C3N
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XC5VFX200T-2FF1738CES
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F484C
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EP20K200RC240-2X
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EP20K100CQ240C9
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