casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3M-M3/9AT
codice articolo del costruttore | S3M-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-S3M-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3M-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3M-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3M-M3/9AT-FT |
SS32-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel