casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3KHE3/57T
codice articolo del costruttore | S3KHE3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-S3KHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3KHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3KHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3KHE3/57T-FT |
ES3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel