casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3HVM7.5
codice articolo del costruttore | S3HVM7.5 |
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Numero di parte futuro | FT-S3HVM7.5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3HVM7.5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 7500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 9.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 7500V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3HVM7.5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3HVM7.5-FT |
A180RPB
Powerex Inc.
A180RPD
Powerex Inc.
A180RPE
Powerex Inc.
A187B
Powerex Inc.
A187D
Powerex Inc.
A187M
Powerex Inc.
A187N
Powerex Inc.
A187P
Powerex Inc.
A187PB
Powerex Inc.
A187PD
Powerex Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel