casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3BBHM4G
codice articolo del costruttore | S3BBHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-S3BBHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S3BBHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3BBHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3BBHM4G-FT |
HS5F V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5G V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5J V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR140SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel