casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS02G200BHI003
codice articolo del costruttore | S34MS02G200BHI003 |
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Numero di parte futuro | FT-S34MS02G200BHI003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS02G200BHI003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G200BHI003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS02G200BHI003-FT |
S34ML01G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI003
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel