casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34ML04G200BHI903
codice articolo del costruttore | S34ML04G200BHI903 |
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Numero di parte futuro | FT-S34ML04G200BHI903 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML04G200BHI903 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML04G200BHI903 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34ML04G200BHI903-FT |
S29GL512P11FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FAI012
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P12FFIV12
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T12DHVV23
Cypress Semiconductor Corp
S70GL02GP11FAIR12
Cypress Semiconductor Corp
S70GL02GP11FAIR13
Cypress Semiconductor Corp
S70GL02GP11FAIR20
Cypress Semiconductor Corp
S70GL02GP11FAIR23
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel