casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34ML04G200BHI503
codice articolo del costruttore | S34ML04G200BHI503 |
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Numero di parte futuro | FT-S34ML04G200BHI503 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML04G200BHI503 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML04G200BHI503 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34ML04G200BHI503-FT |
S29GL512P10FFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIR10W
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S29GL512P11FAI010
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S29GL512P11FAI012
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S29GL512P11FFI010
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S29GL512P11FFI020
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S29GL512P12FFIV12
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S29GL512T12DHVV23
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S70GL02GP11FAIR12
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S70GL02GP11FAIR13
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