casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S2K-13-F
codice articolo del costruttore | S2K-13-F |
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Numero di parte futuro | FT-S2K-13-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S2K-13-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2K-13-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S2K-13-F-FT |
SBR1U400P1-7
Diodes Incorporated
SBR3U60P1Q-13
Diodes Incorporated
SBRT3M60P1-7
Diodes Incorporated
SBRT3U60P1-7
Diodes Incorporated
SDM1L40P1-7
Diodes Incorporated
SDM260P1-7
Diodes Incorporated
SDM2L40P1-7
Diodes Incorporated
UF5A400D1-13
Diodes Incorporated
SBR1045D1-13
Diodes Incorporated
SBR10U45D1-13
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel