casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29VS256RABBHW013
codice articolo del costruttore | S29VS256RABBHW013 |
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Numero di parte futuro | FT-S29VS256RABBHW013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS256RABBHW013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 80ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-FBGA (7.5x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS256RABBHW013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29VS256RABBHW013-FT |
S25FL064LABNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB103
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFV103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SDSNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB011
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel