casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29VS256RABBHW000
codice articolo del costruttore | S29VS256RABBHW000 |
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Numero di parte futuro | FT-S29VS256RABBHW000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS256RABBHW000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 80ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-FBGA (7.5x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS256RABBHW000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29VS256RABBHW000-FT |
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB103
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFV103
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel