casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29VS128RABBHW000
codice articolo del costruttore | S29VS128RABBHW000 |
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Numero di parte futuro | FT-S29VS128RABBHW000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS128RABBHW000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 80ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-FBGA (7.5x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS128RABBHW000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29VS128RABBHW000-FT |
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SDSNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFV100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel