casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29VS128RABBHI013
codice articolo del costruttore | S29VS128RABBHI013 |
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Numero di parte futuro | FT-S29VS128RABBHI013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS128RABBHI013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 80ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-FBGA (7.5x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS128RABBHI013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29VS128RABBHI013-FT |
S25FL132K0XNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SDSNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFV100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM013
Cypress Semiconductor Corp