casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29VS064RABBHW000
codice articolo del costruttore | S29VS064RABBHW000 |
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Numero di parte futuro | FT-S29VS064RABBHW000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VS-R |
S29VS064RABBHW000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 80ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-FBGA (7.5x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS064RABBHW000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29VS064RABBHW000-FT |
S25FL116K0XNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFM010
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel