casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512T13TFNV10
codice articolo del costruttore | S29GL512T13TFNV10 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512T13TFNV10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL512T13TFNV10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 130ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512T13TFNV10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512T13TFNV10-FT |
S29GL256S11TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S11TFV010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S11TFV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90TFA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90TFA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90TFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S90TFI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064S70TFA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064S70TFA030
Cypress Semiconductor Corp
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel