casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512T12TFVV10
codice articolo del costruttore | S29GL512T12TFVV10 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512T12TFVV10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL512T12TFVV10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512T12TFVV10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512T12TFVV10-FT |
S29GL256P10FFIS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P10FFIS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P10FFIS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FAI022
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FFIS12
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FFIS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FFIS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FFIS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FFIS42
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11FFIS50
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel