casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512T11DHIV10
codice articolo del costruttore | S29GL512T11DHIV10 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512T11DHIV10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL512T11DHIV10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512T11DHIV10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512T11DHIV10-FT |
RM24C512C-LMAI-T
Adesto Technologies
RM24C64C-LMAI-T
Adesto Technologies
RM25C128C-LMAI-T
Adesto Technologies
RM25C256C-LMAI-T
Adesto Technologies
RM25C512C-LMAI-T
Adesto Technologies
RM25C64C-LMAI-T
Adesto Technologies
AT25BCM512B-MAH-T
Adesto Technologies
AT25DF011-MAHN-Y
Adesto Technologies
AT25DF011-MAHNGU-Y
Adesto Technologies
AT25DF256-MAHN-Y
Adesto Technologies
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel