casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S12TFBV10
codice articolo del costruttore | S29GL512S12TFBV10 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S12TFBV10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S12TFBV10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S12TFBV10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S12TFBV10-FT |
S29GL01GS11TFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064S80TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11TFV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P90TFCR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel